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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Pontuação geral
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
48
62
Por volta de -29% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
1,658.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
48
Velocidade de leitura, GB/s
4,216.7
11.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,658.4
8.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
688
2466
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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