RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
45
Intorno -55% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
29
Velocità di lettura, GB/s
12.0
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
3614
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link