RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3614
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link