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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston XF875V-MIH 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Kingston XF875V-MIH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
45
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
34
Velocità di lettura, GB/s
12.0
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
2785
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston XF875V-MIH 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
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