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ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Confronto
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Punteggio complessivo
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.4
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
12.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
37
Intorno -48% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR5
Latenza in PassMark, ns
37
25
Velocità di lettura, GB/s
21.4
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
14.3
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3448
3419
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
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