Confronto tra le RAM ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Punteggio complessivo

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

21.4 13.4

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

14.3 12.1

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

25 37

Intorno -48% latenza inferiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Temporizzazioni / Velocità di clock

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz no data / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

3448 3419

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns