ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Pontuação geral
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ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Pontuação geral
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    21.4 left arrow 13.4
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    14.3 left arrow 12.1
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    25 left arrow 37
    Por volta de -48% menor latência

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR5
  • Latência em PassMark, ns
    37 left arrow 25
  • Velocidade de leitura, GB/s
    21.4 left arrow 13.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    14.3 left arrow 12.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • Tempos / Velocidade do relógio
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow no data / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    3448 left arrow 3419
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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