Comparação RAM ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Pontuação geral

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

21.4 13.4

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

14.3 12.1

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

25 37

Por volta de -48% menor latência

Lista completa de especificações técnicas

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Tempos / Velocidade do relógio

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

3448 3419

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns