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ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

総合得点
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ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

総合得点
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB 考慮すべき理由
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    21.4 left arrow 13.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 12.1
    テスト平均値
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB 考慮すべき理由
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 37
    周辺 -48% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR5
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    21.4 left arrow 13.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    14.3 left arrow 12.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow no data / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3448 left arrow 3419

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB RAMの比較

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