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ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Comparez
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Note globale
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Note globale
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.4
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
37
Autour de -48% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR5
Latence dans PassMark, ns
37
25
Vitesse de lecture, GB/s
21.4
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
14.3
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3448
3419
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Comparaison des RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
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