Comparación de la memoria RAM ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Puntuación global

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

21.4 13.4

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

14.3 12.1

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

25 37

En -48% menor latencia

Lista completa de especificaciones técnicas

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Tiempos / Velocidad del reloj

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz no data / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

3448 3419

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns