RAM-Vergleich ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Gesamtnote

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

21.4 13.4

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

14.3 12.1

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

25 37

Rund um -48% geringere Latenzzeit

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Timings / Taktgeschwindigkeit

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

3448 3419

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns