ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB против Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

-->

Средняя оценка

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Средняя оценка

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Причины выбрать
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

21.4 13.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.3 12.1

Среднее значение в тестах

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Причины выбрать
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 37

Около -48% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR5
Задержка в PassMark, нс

37 25
Скорость чтения, Гб/сек

21.4 13.4
Скорость записи, Гб/сек

14.3 12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 19200

Other

Описание

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Тайминги / частота

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz no data / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3448 3419

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB

A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB

модули RAM

SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB

SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB

Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB

Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB

Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB

модули RAM