Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12 left arrow 11.4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.8 left arrow 7.7
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    43 left arrow 45
    Intorno -5% latenza inferiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    45 left arrow 43
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.0 left arrow 11.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.8 left arrow 7.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1939 left arrow 1823
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti