RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
45
Intorno -2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
12
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
45
44
Velocità di lettura, GB/s
12.0
12.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
1977
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link