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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
45
Intorno -2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
12
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
45
44
Velocità di lettura, GB/s
12.0
12.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
1977
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
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