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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
44
45
左右 -2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
12
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
45
44
读取速度,GB/s
12.0
12.3
写入速度,GB/s
7.8
7.8
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
1977
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM的比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
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