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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Kingston XK2M26-MIE 16GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Kingston XK2M26-MIE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston XK2M26-MIE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
70
左右 -79% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.4
3,071.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
39
读取速度,GB/s
4,372.7
14.0
写入速度,GB/s
3,071.4
6.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2297
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
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