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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
43
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
33
读取速度,GB/s
14.9
16.3
写入速度,GB/s
9.6
11.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2918
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
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Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
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