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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
43
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
33
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2918
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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