RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
65
En -71% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
38
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
2843
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link