RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
65
Autour de -71% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
38
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
2843
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link