RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
65
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
13.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
2843
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link