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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
38
左右 -15% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
33
读取速度,GB/s
16.7
16.3
写入速度,GB/s
10.0
11.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2918
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
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