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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
17.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
33
左右 -10% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.8
12.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
30
读取速度,GB/s
17.8
17.5
写入速度,GB/s
12.5
14.8
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
3575
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
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