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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Confronto
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
44
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
13
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
29
Velocità di lettura, GB/s
13.0
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2069
3155
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8A
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
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