RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Confronto
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
44
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.3
13
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
31
Velocità di lettura, GB/s
13.0
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2069
3414
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link