RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
48
Intorno -66% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
29
Velocità di lettura, GB/s
8.9
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
3220
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link