RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
48
Intorno -140% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
20
Velocità di lettura, GB/s
8.9
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2965
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link