RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
24
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
23
Velocità di lettura, GB/s
16.0
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3152
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link