RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
48
Intorno -85% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
48
26
Velocità di lettura, GB/s
8.9
12.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2207
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0PS 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link