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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
48
Intorno -118% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.7
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
22
Velocità di lettura, GB/s
8.9
21.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
17.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
3987
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
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