Confronto tra le RAM Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Punteggio complessivo

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

20 57

Intorno 65% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

13.1 10.1

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 10600

Intorno 1.81 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

3252 2377

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns