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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Compara
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Puntuación global
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
57
En 65% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
10.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
20
57
Velocidad de lectura, GB/s
19.1
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3252
2377
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
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