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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Comparez
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Note globale
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
57
Autour de 65% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
20
57
Vitesse de lecture, GB/s
19.1
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
13.1
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3252
2377
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Comparaison des RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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