RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
48
Intorno -71% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
28
Velocità di lettura, GB/s
8.9
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
3716
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link