RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
48
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
28
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3716
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link