RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
33
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
21
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
4119
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link