RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
52
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
52
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2182
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link