RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
33
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.2
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.8
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
21
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
19.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
18.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
4119
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link