RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
33
Autour de -57% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.2
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.8
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
21
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
18.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
4119
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link