RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
48
Intorno -92% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.4
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
25
Velocità di lettura, GB/s
8.9
21.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
19.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
4129
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link