RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
48
Por volta de -92% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.4
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
25
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
21.0
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
19.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
4129
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link