RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
48
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
24
Velocità di lettura, GB/s
8.9
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
3049
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link