RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
28
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.2
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.1
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
19
Velocità di lettura, GB/s
12.7
20.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
18.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3905
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link