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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
28
Por volta de -47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.2
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.1
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
19
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
18.1
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
3905
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
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