RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
48
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
32
Velocità di lettura, GB/s
8.9
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
3083
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link