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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston XRGM6C-MIB 16GB

总分
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

总分
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Kingston XRGM6C-MIB 16GB

Kingston XRGM6C-MIB 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Kingston XRGM6C-MIB 16GB 需要考虑的原因
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    32 left arrow 48
    左右 -50% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.5 left arrow 8.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.5 left arrow 5.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    48 left arrow 32
  • 读取速度，GB/s
    8.9 left arrow 16.5
  • 写入速度，GB/s
    5.9 left arrow 12.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1420 left arrow 3083

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较

G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB

Kingston XRGM6C-MIB 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
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内存RAM
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
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Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
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G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
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Kingston KP223C-ELD 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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