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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
48
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.8
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
32
Velocità di lettura, GB/s
8.9
11.8
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2585
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
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Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
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