RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
48
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.8
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
32
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
11.8
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2585
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link