Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    32 left arrow 48
    Около -50% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    11.8 left arrow 8.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.7 left arrow 5.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    48 left arrow 32
  • Скорость чтения, Гб/сек
    8.9 left arrow 11.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.9 left arrow 8.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1420 left arrow 2585
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения