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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
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Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.7
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
48
Velocità di lettura, GB/s
8.9
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2568
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
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