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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
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更快的读取速度,GB/s
11.7
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
48
读取速度,GB/s
8.9
11.7
写入速度,GB/s
5.9
10.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2568
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
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Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
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