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Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
44
Intorno 14% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
8.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
38
44
Velocità di lettura, GB/s
12.6
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.8
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
2423
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
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Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
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